|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Зависимости транспортного времени рассеяния и квантового времени жизни от концентрации 2D электронного газа в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами
А. А. Быковab, И. С. Стрыгинb, А. В. Горанb, Д. В. Номоконовb, А. К. Бакаровb a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Исследованы зависимости транспортного времени рассеяния ($\tau_t$), квантового времени жизни ($\tau_q$) и их отношения ($\tau_t/\tau_q$) от концентрации $\mathrm{2D}$ электронного газа ($n_e$) в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами. Экспериментальные зависимости объясняются рассеянием электронов на удаленных ионизированных донорах с эффективной $\mathrm{2D}$ концентрацией $n^*_R$ и фоновых примесях с $\mathrm{3D}$ концентрацией $n_B$. Получено выражение для $n^*_R(n_e)$, учитывающее роль локализованных в AlAs слоях X-электронов в подавлении рассеяния на случайном потенциале удаленных доноров. Показано, что наблюдаемое в эксперименте резкое возрастание $\tau_t$ и $\tau_q$ с увеличением $n_e$ выше некоторого критического значения $n_{ec}$ обусловлено уменьшением $n^*_R$. Установлено, что падение $\tau_t/\tau_q$ в области $n_e>n_{ec}$ обусловлено тем, что в исследуемой $\mathrm{2D}$ системе с уменьшением $n^*_R$ рассеяние на случайном потенциале фоновой примеси более существенно ограничивает рост $\tau_t$, чем $\tau_q$.
Поступила в редакцию: 26.08.2020 Исправленный вариант: 10.09.2020 Принята в печать: 10.09.2020
Образец цитирования:
А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, “Зависимости транспортного времени рассеяния и квантового времени жизни от концентрации 2D электронного газа в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами”, Письма в ЖЭТФ, 112:7 (2020), 475–481; JETP Letters, 112:7 (2020), 437–443
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6270 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v112/i7/p475
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 82 | PDF полного текста: | 8 | Список литературы: | 13 | Первая страница: | 5 |
|