Локализация экситонов на плоских дефектах в полупроводниковых кристаллах

Теоретически исследованы локализованные состояния экситона большого радиуса на плоском короткодействующем дефекте, который моделируется потенциалом $-V\delta(z)$. Отношение амплитуды $V$ к $e^2/\varepsilon$ ($\varepsilon$ – диэлектрическая постоянная) определяет два асимптотических режима – слабая или сильная локализация. В обоих случаях радиационное время жизни экситона увеличивается с ростом $V$ по степенным законам: $V^{1/4}$ в случае слабой и $V$ в случае сильной локализации.