|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content
H. Wanga, Q. Tanba, X. Hea a Academy of Electronic Information and Electrical Engineering, Xiangnan University, 423000 Chenzhou, China
b Institute of Physics and Information Science, Hunan Normal University, 410081 Changsha, China
Поступила в редакцию: 02.06.2020 Исправленный вариант: 19.06.2020 Принята в печать: 19.06.2020
Образец цитирования:
H. Wang, Q. Tan, X. He, “Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content”, Письма в ЖЭТФ, 112:3 (2020), 172–173; JETP Letters, 112:3 (2020), 157–160
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6228 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v112/i3/p172
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 68 | PDF полного текста: | 5 | Список литературы: | 14 | Первая страница: | 4 |
|