Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, том 112, выпуск 3, страницы 172–173
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820150057 (Mi jetpl6228) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content

H. Wanga, Q. Tanba, X. Hea

a Academy of Electronic Information and Electrical Engineering, Xiangnan University, 423000 Chenzhou, China
b Institute of Physics and Information Science, Hunan Normal University, 410081 Changsha, China
PDF полного текста (117 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820150057
Поступила в редакцию: 02.06.2020
Исправленный вариант: 19.06.2020
Принята в печать: 19.06.2020
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, Volume 112, Issue 3, Pages 157–160
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364020150035
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: H. Wang, Q. Tan, X. He, “Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content”, Письма в ЖЭТФ, 112:3 (2020), 172–173; JETP Letters, 112:3 (2020), 157–160
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{WanTanHe20}
\by H.~Wang, Q.~Tan, X.~He
\paper Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2020
\vol 112
\issue 3
\pages 172--173
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6228}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567820150057}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2020
\vol 112
\issue 3
\pages 157--160
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364020150035}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000552944000003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85088559421}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6228
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v112/i3/p172
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:5
    Список литературы:14
    Первая страница:4
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024