Антистоксова люминесценция объемного $\beta$-InSe и его тонких пленок при оптическом ИК-возбуждении

В объемных кристаллах $\beta$-InSe и полученных из них тонких пленках при низких температурах обнаружен новый механизм излучательной рекомбинации, приводящий к появлению интенсивной антистоксовой люминесценции с энергией фотонов 2.54 эВ. Соответствующая линия излучения по своему спектральному положению близка к экситонному резонансу прямого в $k$-пространстве межзонного перехода, который связан с рекомбинацией электронов из дна зоны проводимости с дырками на Se-p$_{xy}$ орбиталях. Обнаруженное антистоксово излучение, предположительно, связано с Оже-рекомбинацией непрямых в $k$-пространстве электронно-дырочных пар, приводящей к заселению нижележащих состояний валентной зоны. Обнаружено, что относительная интенсивность антистоксовой люминесценции более чем на два порядка возрастает при переходе от объемного InSe к пленкам InSe толщиной несколько десятков нанометров.