|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Фурье-ограниченная ширина линий оптических переходов одиночных SiV-центров в “адамантановых” наноалмазах
А. М. Ромшинab, О. С. Кудрявцевa, Е. А. Екимовc, А. Б. Шкаринd, Д. Раттенбахерd, М. В. Рахлинe, А. А. Тороповe, И. И. Власовa a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
b МГУ им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
c Институт физики высоких давлений РАН, 108840 Троицк, Москва, Россия
d Max Planck Institute for the Science of Light (MPL), 91058 Erlangen, Germany
e Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Аннотация:
Центры окраски “кремний-вакансия” (SiV) в алмазе являются перспективной системой для квантово-информационных приложений благодаря их интенсивному узкополосному излучению и оптически детектируемым спиновым состояниям. В настоящей работе исследованы флуоресцентные свойства ансамблей и одиночных SiV-центров в HPHT-алмазах, полученных из адамантана (в дальнейшем – “адамантановых” алмазов), при гелиевых температурах. Ансамбли SiV-центров (${\sim}$ 10$^3$) изучались в крупных алмазных кристаллах размером 1–2 мкм. Несмотря на большое количество возбуждаемых центров, в их спектрах флуоресценции удается наблюдать тонкую структуру бесфононной линии, соответствующую четырем разрешенным оптическим переходам между дублетами основного и возбужденного состояний SiV-центра. Ширина отдельных линий лежит в диапазоне 60–80 ГГц, что объясняется их неоднородным уширением. Одиночные SiV-центры изучались в алмазных кристаллитах размером около 200 нм. При резонансном возбуждении флуоресценции одиночных SiV-центров наименьшая ширина линии отдельного перехода почти в 1000 раз уже, чем для SiV-ансамбля, и составляет 94 МГц, т.е. определяется временем жизни возбужденного состояния этого перехода. Таким образом, “адамантановый” наноалмаз демонстрирует самую узкую ширину линии излучения одиночного SiV-центра при криогенных температурах среди известных SiV-содержащих наноалмазов аналогичного размера, полученных НРНТ и CVD методами.
Поступила в редакцию: 10.05.2020 Исправленный вариант: 13.05.2020 Принята в печать: 13.05.2020
Образец цитирования:
А. М. Ромшин, О. С. Кудрявцев, Е. А. Екимов, А. Б. Шкарин, Д. Раттенбахер, М. В. Рахлин, А. А. Торопов, И. И. Власов, “Фурье-ограниченная ширина линий оптических переходов одиночных SiV-центров в “адамантановых” наноалмазах”, Письма в ЖЭТФ, 112:1 (2020), 17–21; JETP Letters, 112:1 (2020), 13–16
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6204 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v112/i1/p17
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 105 | PDF полного текста: | 12 | Список литературы: | 23 | Первая страница: | 4 |
|