Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, том 111, выпуск 12, страницы 815–818
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820120058 (Mi jetpl6195) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB

И. Ю. Пашенькинa, М. В. Сапожниковab, Н. С. Гусевa, В. В. Роговa, Д. А. Татарскийba, А. А. Фраерманa, М. Н. Волочаевc

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Н. Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Н. Новгород, Россия
c Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия
PDF полного текста (1775 kB) Список цитирования (6)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820120058
Аннотация: Исследована возможность электрического управления межслоевым обменным взаимодействием в туннельных контактах CoFeB/MgO/CoFeB, демонстрирующих магнетосопротивление величиной $\sim$ 200 %. Показано, что увеличение приложенного напряжения с 50 мВ до 1.25 В приводит к сдвигу кривой намагничивания свободного слоя на 10 Э при плотности протекающего тока ${\sim}$10$^3\,$А/см$^2$. Обнаруженный эффект может быть использован при разработке энергоэффективной магниторезистивной памяти с произвольным доступом.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10340П
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант # 16-12-10340П).
Поступила в редакцию: 27.04.2020
Исправленный вариант: 01.05.2020
Принята в печать: 01.05.2020
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, Volume 111, Issue 12, Pages 690–693
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364020120115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман, М. Н. Волочаев, “Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB”, Письма в ЖЭТФ, 111:12 (2020), 815–818; JETP Letters, 111:12 (2020), 690–693
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PasSapGus20}
\by И.~Ю.~Пашенькин, М.~В.~Сапожников, Н.~С.~Гусев, В.~В.~Рогов, Д.~А.~Татарский, А.~А.~Фраерман, М.~Н.~Волочаев
\paper Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2020
\vol 111
\issue 12
\pages 815--818
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6195}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567820120058}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45330186}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2020
\vol 111
\issue 12
\pages 690--693
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364020120115}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000563148500006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85089948599}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6195
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v111/i12/p815
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:129
    PDF полного текста:9
    Список литературы:20
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024