|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB
И. Ю. Пашенькинa, М. В. Сапожниковab, Н. С. Гусевa, В. В. Роговa, Д. А. Татарскийba, А. А. Фраерманa, М. Н. Волочаевc a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Н. Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Н. Новгород, Россия
c Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия
Аннотация:
Исследована возможность электрического управления межслоевым обменным взаимодействием в туннельных контактах CoFeB/MgO/CoFeB, демонстрирующих магнетосопротивление величиной $\sim$ 200 %. Показано, что увеличение приложенного напряжения с 50 мВ до 1.25 В приводит к сдвигу кривой намагничивания свободного слоя на 10 Э при плотности протекающего тока ${\sim}$10$^3\,$А/см$^2$. Обнаруженный эффект может быть использован при разработке энергоэффективной магниторезистивной памяти с произвольным доступом.
Поступила в редакцию: 27.04.2020 Исправленный вариант: 01.05.2020 Принята в печать: 01.05.2020
Образец цитирования:
И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман, М. Н. Волочаев, “Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB”, Письма в ЖЭТФ, 111:12 (2020), 815–818; JETP Letters, 111:12 (2020), 690–693
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6195 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v111/i12/p815
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 129 | PDF полного текста: | 9 | Список литературы: | 20 | Первая страница: | 6 |
|