Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, том 111, выпуск 10, страницы 668–673
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820100043 (Mi jetpl6172) 		 
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Магнетоосцилляции заряда полевого транзистора, обусловленные индуцированным микроволновым излучением неравновесным распределением электронов по энергии

С. И. Дорожкинa, А. А. Капустинa, В. Уманскийb, Ю. Х. Сметc

a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel
c Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
PDF полного текста (342 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567820100043
Аннотация: Подтверждено возникновение под микроволновым излучением неравновесной функции распределения электронов по энергии, порождающей магнетоосцилляции сопротивления двумерных электронных систем. Данное утверждение основывается на наблюдении индуцированного микроволновым излучением изменения заряда полевого транзистора с каналом, образованным двухслойной электронной системой. Наблюдавшиеся периодичность и биения магнетоосцилляций заряда объясняются перераспределением электронов между слоями, происходящим вследствие соответствующего неравновесного заполнения электронных состояний.
Финансовая поддержка Номер гранта
German-Israeli Foundation for Scientific Research and Development
В. Уманский и Ю. Х. Смет благодарны German–Israeli Foundation for Scientific Research and Development (GIF) за поддержку.
Поступила в редакцию: 06.04.2020
Исправленный вариант: 16.04.2020
Принята в печать: 16.04.2020
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, Volume 111, Issue 10, Pages 562–567
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364020100070
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Дорожкин, А. А. Капустин, В. Уманский, Ю. Х. Смет, “Магнетоосцилляции заряда полевого транзистора, обусловленные индуцированным микроволновым излучением неравновесным распределением электронов по энергии”, Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020), 668–673; JETP Letters, 111:10 (2020), 562–567
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorKapUma20}
\by С.~И.~Дорожкин, А.~А.~Капустин, В.~Уманский, Ю.~Х.~Смет
\paper Магнетоосцилляции заряда полевого транзистора, обусловленные индуцированным микроволновым излучением неравновесным распределением электронов по энергии
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2020
\vol 111
\issue 10
\pages 668--673
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6172}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567820100043}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45431142}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2020
\vol 111
\issue 10
\pages 562--567
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364020100070}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000551927200004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85088379315}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6172
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v111/i10/p668
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:99
    PDF полного текста:12
    Список литературы:26
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024