|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Microstructural characterization of V-defects in InGaN/GaN multiquantum wells
H. Wanga, G. Jina, Q. Tanba a Academy of Electronic Information and Electrical Engineering, Xiangnan University Chenzhou, 423000, China
b Institute of Physics and Information Science, Hunan Normal University, Changsha, 410081, China
Поступила в редакцию: 27.12.2019 Исправленный вариант: 02.02.2020 Принята в печать: 02.02.2020
Образец цитирования:
H. Wang, G. Jin, Q. Tan, “Microstructural characterization of V-defects in InGaN/GaN multiquantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 111:5 (2020), 301–302; JETP Letters, 111:5 (2020), 264–267
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6121 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v111/i5/p301
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 105 | PDF полного текста: | 24 | Список литературы: | 31 | Первая страница: | 2 |
|