Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2020, том 111, выпуск 4, страницы 244–248
DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X20040086
(Mi jetpl6115)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Механизм перехода от полуметаллического к полупроводниковому поведению в графеновой пленке при образовании многосвязанной структуры

Л. А. Чернозатонскийab, Л. Ю. Антипинаac, Д. Г. Квашнинca

a Институт биохимической физики им. Н. М. Эмануэля РАН, 119334 Москва, Россия
b Школа химии и технологии полимерных материалов, Российский экономический университет им. Г. В. Плеханова, 117997 Москва, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049 Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: Недавно было обнаружено, что в пленках из одно-пятислойных графеновых чешуек после облучения электронами или заряженными ионами могут образовываться “замкнутые” нанопоры с соединенными краями в соседних слоях. В последнем случае обнаруживалось существенное изменение проводящих свойств таких модифицированных пленок от полуметаллического до полупроводникового поведения, однако полного понимания механизма этой трансформации не было выяснено. Мы предлагаем механизм такого поведения, основанный на образовании топологически связанных нескольких графеновых слоев “замкнутыми” близко расположенными нанопорами, когда сильное искривление графеновых слоев нарушает полуметаллический характер спектра этой системы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01095_а
Российский научный фонд 17-72-20223
Министерство образования и науки Российской Федерации МД-1046.2019.2
Работа выполнена в рамках проекта Российского фонда фундаментальных исследований # 17-02-01095, и, частично (Д. Г. Квашнин, анализ электронных свойств) поддержана проектом Российского научного фонда # 17-72-20223 и частично (Л.Ю. Антипина, построение моделей и расчет DOS) грантом Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – докторов наук (МД-1046.2019.2).
Поступила в редакцию: 09.01.2020
Исправленный вариант: 10.01.2020
Принята в печать: 10.01.2020
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, Volume 111, Issue 4, Pages 235–238
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364020040074
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. А. Чернозатонский, Л. Ю. Антипина, Д. Г. Квашнин, “Механизм перехода от полуметаллического к полупроводниковому поведению в графеновой пленке при образовании многосвязанной структуры”, Письма в ЖЭТФ, 111:4 (2020), 244–248; JETP Letters, 111:4 (2020), 235–238
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheAntKva20}
\by Л.~А.~Чернозатонский, Л.~Ю.~Антипина, Д.~Г.~Квашнин
\paper Механизм перехода от полуметаллического к полупроводниковому поведению в графеновой пленке при образовании многосвязанной структуры
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2020
\vol 111
\issue 4
\pages 244--248
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6115}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S0370274X20040086}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43276143}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2020
\vol 111
\issue 4
\pages 235--238
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364020040074}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000529686600008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85083990835}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6115
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v111/i4/p244
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024