Экспериментальное свидетельство неоднородного состояния коррелированной двумерной электронной системы вблизи перехода металл–изолятор

При измерении осциллирующего магнитосопротивления в двумерной системе в Si-MOS структурах в слабом перпендикулярном магнитом поле мы обнаружили, что квантовые осцилляции наблюдаются вплоть до критической электронной концентрации $n_c$ перехода в режим сильной локализации. При столь малых концентрациях осцилляции имеют ожидаемый период, фазу и амплитуду, несмотря на то, что значение проводимости становится менее $e^2/h$, и, следовательно, длина пробега становится менее $\lambda_F$. Это кажущееся противоречие с критерием диффузионного транспорта Иоффе–Регеля, на наш взгляд, объясняется возникновением неоднородного состояния 2D системы, в котором области с диффузионной и прыжковый проводимостью оказываются пространственно разделены.