|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Микроволновое фотосопротивление двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме
А. С. Ярошевичa, З. Д. Квонab, Г. М. Гусевc, Н. Н. Михайловab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo, 135960-170 Sao Paulo, SP, Brazil
Аннотация:
Проведено экспериментальное исследование вызванного воздействием излучения в диапазоне частот 110–169 ГГц микроволнового фотосопротивления двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме с инверсным спектром. Установлено два механизма формирования этого фотосопротивления: первый связан с переходами между дисперсионными ветками краевых токовых состояний, второй — с воздействием излучения на объем квантовой ямы.
Поступила в редакцию: 06.11.2019 Исправленный вариант: 06.12.2019 Принята в печать: 06.12.2019
Образец цитирования:
А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, Г. М. Гусев, Н. Н. Михайлов, “Микроволновое фотосопротивление двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 111:2 (2020), 107–111; JETP Letters, 111:2 (2020), 121–125
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6093 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v111/i2/p107
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 137 | PDF полного текста: | 19 | Список литературы: | 18 | Первая страница: | 1 |
|