Температурный гистерезис при фазовом переходе, соответствующем росту и разрушению графеновых островков на рении

Показано, что в условиях равновесного роста и разрушения графеновых островков на металле, растворяющем углерод в объеме, имеют место значительные различия в площади, занимаемой графеном на поверхности, при одинаковой температуре и концентрации углерода в объеме. Так, на рении, науглероженном при 1830 К, в равновесии графен занимает 40 % площади поверхности при 1875 К в условиях роста островков и 80 % при их разрушении. Показано, что этот эффект объясняется в рамках развитой ранее трехфазной модели фазового перехода, с учетом того, что в равновесии находятся лишь краевые атомы графеновых островков, т.е. их периметр.