Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, том 110, выпуск 6, страницы 407–413
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19180103
(Mi jetpl6006)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Квантовые эффекты в емкости полевых транзисторов с двойной квантовой ямой

А. А. Капустинa, С. И. Дорожкинa, И. Б. Федоровa, В. Уманскийb, Ю. Х. Сметc

a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel
c Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
Список литературы:
Аннотация: Исследованы особенности сжимаемости электронов в двухслойной электронной системе, реализуемой в двойной квантовой яме GaAs. Обнаружены проявления отрицательной величины сжимаемости двумерной электронной системы малой плотности в нулевом и квантующем магнитных полях. В слое большей плотности обнаружено значительное уширение по магнитному полю областей существования несжимаемой фазы на факторах заполнения разрешенных по спину уровней Ландау 2 и 1, обусловленное заполнением второго слоя. Эффект объясняется стабилизацией состояния квантового эффекта Холла за счет перехода электронов из слоя меньшей плотности. Получены оценки скачков химического потенциала для соответствующих состояний квантового эффекта Холла.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00769_а
German-Israeli Foundation for Scientific Research and Development
Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект 17-02-00769). В. Уманский и Ю. Х. Смет благодарны German–Israeli Foundation for Scientific Research and Development (GIF) за поддержку.
Поступила в редакцию: 11.08.2019
Исправленный вариант: 18.08.2019
Принята в печать: 18.08.2019
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, Volume 110, Issue 6, Pages 424–429
DOI: https://doi.org/10.1134/S002136401918005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Капустин, С. И. Дорожкин, И. Б. Федоров, В. Уманский, Ю. Х. Смет, “Квантовые эффекты в емкости полевых транзисторов с двойной квантовой ямой”, Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019), 407–413; JETP Letters, 110:6 (2019), 424–429
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KapDorFed19}
\by А.~А.~Капустин, С.~И.~Дорожкин, И.~Б.~Федоров, В.~Уманский, Ю.~Х.~Смет
\paper Квантовые эффекты в емкости полевых транзисторов с двойной квантовой ямой
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 110
\issue 6
\pages 407--413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6006}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19180103}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39566398}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 110
\issue 6
\pages 424--429
\crossref{https://doi.org/10.1134/S002136401918005X}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000499175400009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85075712512}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6006
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i6/p407
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:143
    PDF полного текста:30
    Список литературы:29
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024