|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Квантовые эффекты в емкости полевых транзисторов с двойной квантовой ямой
А. А. Капустинa, С. И. Дорожкинa, И. Б. Федоровa, В. Уманскийb, Ю. Х. Сметc a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel
c Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-70569 Stuttgart, Germany
Аннотация:
Исследованы особенности сжимаемости электронов в двухслойной электронной системе, реализуемой в двойной квантовой яме GaAs. Обнаружены проявления отрицательной величины сжимаемости двумерной электронной системы малой плотности в нулевом и квантующем магнитных полях. В слое большей плотности обнаружено значительное уширение по магнитному полю областей существования несжимаемой фазы на факторах заполнения разрешенных по спину уровней Ландау 2 и 1, обусловленное заполнением второго слоя. Эффект объясняется стабилизацией состояния квантового эффекта Холла за счет перехода электронов из слоя меньшей плотности. Получены оценки скачков химического потенциала для соответствующих состояний квантового эффекта Холла.
Поступила в редакцию: 11.08.2019 Исправленный вариант: 18.08.2019 Принята в печать: 18.08.2019
Образец цитирования:
А. А. Капустин, С. И. Дорожкин, И. Б. Федоров, В. Уманский, Ю. Х. Смет, “Квантовые эффекты в емкости полевых транзисторов с двойной квантовой ямой”, Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019), 407–413; JETP Letters, 110:6 (2019), 424–429
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6006 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i6/p407
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 139 | PDF полного текста: | 30 | Список литературы: | 29 | Первая страница: | 5 |
|