|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS$_3$
И. Г. Горловаa, А. В. Фроловa, А. П. Орловa, В. Я. Покровскийa, Воей Ву Пайb a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, 106 Taipei, Taiwan
Аннотация:
Изготовлены структуры типа полевого транзистора на основе вискеров слоистого квазиодномерного полупроводника TiS$_3$. На этих структурах в диапазоне температур $4.2$–$300$ К измерены зависимости проводимости $\sigma$ от напряжения на затворе $V_{\text{g}}$, а также вольт-амперные характеристики вискеров (“исток-сток”) при различных значениях $V_{\text{g}}$. C понижением температуры от $300$ до $80$ К чувствительность проводимости к напряжению на затворе, $\alpha\equiv 1/\sigma\,\text{d}\sigma/\text{d}V_{\text{g}}$, возрастает, а ниже $80$ К – резко уменьшается. Ниже $70$ K нелинейная проводимость начинает зависеть от $V_{\text{g}}$. Результаты можно объяснить образованием электронного кристалла при низких температурах.
Поступила в редакцию: 07.08.2019 Исправленный вариант: 13.08.2019 Принята в печать: 13.08.2019
Образец цитирования:
И. Г. Горлова, А. В. Фролов, А. П. Орлов, В. Я. Покровский, Воей Ву Пай, “Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019), 400–406; JETP Letters, 110:6 (2019), 417–423
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6005 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i6/p400
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 117 | PDF полного текста: | 15 | Список литературы: | 20 | Первая страница: | 5 |
|