Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS$_3$

Изготовлены структуры типа полевого транзистора на основе вискеров слоистого квазиодномерного полупроводника TiS$_3$. На этих структурах в диапазоне температур $4.2$–$300$ К измерены зависимости проводимости $\sigma$ от напряжения на затворе $V_{\text{g}}$, а также вольт-амперные характеристики вискеров (“исток-сток”) при различных значениях $V_{\text{g}}$. C понижением температуры от $300$ до $80$ К чувствительность проводимости к напряжению на затворе, $\alpha\equiv 1/\sigma\,\text{d}\sigma/\text{d}V_{\text{g}}$, возрастает, а ниже $80$ К – резко уменьшается. Ниже $70$ K нелинейная проводимость начинает зависеть от $V_{\text{g}}$. Результаты можно объяснить образованием электронного кристалла при низких температурах.