|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Эффективная инжекция спинов из ферромагнитного металла в полупроводник InSb
Н. А. Виглинa, В. М. Цвелиховскаяa, Н. А. Кулешb, Т. Н. Павловa a Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
Аннотация:
Показаны условия создания полупроводниковых латеральных спиновых устройств с высокой эффективностью спиновой инжекции. Детально рассмотрены технологические аспекты формирования магнитных элементов спинового устройства, его электрических контактов и тонкого диэлектрического слоя из MgO, необходимые для эффективной инжекции спин-поляризованных электронов. Впервые получен для InSb коэффициент поляризации электронов порядка 25 %.
Поступила в редакцию: 20.06.2019 Исправленный вариант: 11.07.2019 Принята в печать: 13.07.2019
Образец цитирования:
Н. А. Виглин, В. М. Цвелиховская, Н. А. Кулеш, Т. Н. Павлов, “Эффективная инжекция спинов из ферромагнитного металла в полупроводник InSb”, Письма в ЖЭТФ, 110:4 (2019), 248–254; JETP Letters, 110:4 (2019), 273–278
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5979 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i4/p248
|
|