|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Солитонная фотопроводимость в пайерлсовском проводнике ромбическом TaS$_3$
В. Е. Минаковаa, А. Н. Талденковb, С. В. Зайцев-Зотовa a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
Аннотация:
Изучено влияние растяжения на низкотемпературную проводимость и фотопроводимость пайерлсовского проводника ромбического TaS$_3$. Обнаружен согласованный рост проводимости и фотопроводимости при $T \lesssim 60$ K, противоречащий модели столкновительной рекомбинации, которая хорошо описывает фотопроводимость в нерастянутых образцах. Рост проводимости сопровождается увеличением порогового поля начала скольжения волны зарядовой плотности $E_T$, причем взаимосвязь между $E_T$ и проводимостью аналогична наблюдающейся при фотопроводимости. Эта взаимосвязь обусловлена изменением условий экранировки волны зарядовой плотности при изменении концентрации носителей тока. Обнаружена смена характера пиннинга волны зарядовой плотности с трехмерного при $T \gtrsim 60$ K на одномерный при $T \lesssim 45$ K при растяжении $\varepsilon \approx 0.5\,\%$. Обнаруженные эффекты объясняются тем, что в условиях растяжения вклад солитонов как в низкотемпературную проводимость, так и в фотопроводимость становится доминирующим.
Поступила в редакцию: 19.06.2019 Исправленный вариант: 25.06.2019 Принята в печать: 26.06.2019
Образец цитирования:
В. Е. Минакова, А. Н. Талденков, С. В. Зайцев-Зотов, “Солитонная фотопроводимость в пайерлсовском проводнике ромбическом TaS$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019), 178–183; JETP Letters, 110:3 (2019), 200–205
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5967 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i3/p178
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 98 | PDF полного текста: | 15 | Список литературы: | 19 |
|