Солитонная фотопроводимость в пайерлсовском проводнике ромбическом TaS$_3$

Изучено влияние растяжения на низкотемпературную проводимость и фотопроводимость пайерлсовского проводника ромбического TaS$_3$. Обнаружен согласованный рост проводимости и фотопроводимости при $T \lesssim 60$ K, противоречащий модели столкновительной рекомбинации, которая хорошо описывает фотопроводимость в нерастянутых образцах. Рост проводимости сопровождается увеличением порогового поля начала скольжения волны зарядовой плотности $E_T$, причем взаимосвязь между $E_T$ и проводимостью аналогична наблюдающейся при фотопроводимости. Эта взаимосвязь обусловлена изменением условий экранировки волны зарядовой плотности при изменении концентрации носителей тока. Обнаружена смена характера пиннинга волны зарядовой плотности с трехмерного при $T \gtrsim 60$ K на одномерный при $T \lesssim 45$ K при растяжении $\varepsilon \approx 0.5\,\%$. Обнаруженные эффекты объясняются тем, что в условиях растяжения вклад солитонов как в низкотемпературную проводимость, так и в фотопроводимость становится доминирующим.