|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Метод быстрой оценки энергии деформации решетки в органических полупроводниках
А. Ю. Сосоревabc a МГУ им. М. В. Ломоносова, Международный лазерный центр, 119991 Москва, Россия
b МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, 119991 Москва, Россия
c Институт спектроскопии РАН, 108840 Троицк, Россия
Аннотация:
Эффективная работа многих устройств органической электроники требует высокой подвижности зарядов в их рабочих слоях. Согласно современным представлениям, фактором, лимитирующим подвижность зарядов в лучших органических полупроводниках, является динамический беспорядок – флуктуация интегралов переноса заряда между молекулами, обусловленная нелокальным электрон-фононным взаимодействием и тепловым движением молекул. Однако, оценка нелокального электрон-фононного взаимодействия на настоящий момент предполагает использование весьма время- и ресурсозатратных методов, что препятствует эффективному поиску органических полупроводников с высокой подвижностью зарядов среди множества претендентов. В данной работе предложен метод, позволяющий быстро оценивать основную характеристику нелокального электрон-фононного взаимодействия – энергию деформации решетки – путем сопоставления энергии реорганизации молекул и молекулярных димеров. Полученные значения энергии деформации решетки хорошо согласуются со значениями, полученными ранее другими методами. Более того, предложенный метод позволил впервые исследовать влияние межмолекулярной делокализации на нелокальное электрон-фононное взаимодействие. Таким образом, результаты работы свидетельствуют о перспективности предложенного подхода для эффективного поиска органических полупроводников со слабым нелокальным электрон-фононным взаимодействием и высокой подвижностью зарядов.
Поступила в редакцию: 11.06.2019 Исправленный вариант: 20.06.2019 Принята в печать: 20.06.2019
Образец цитирования:
А. Ю. Сосорев, “Метод быстрой оценки энергии деформации решетки в органических полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019), 171–177; JETP Letters, 110:3 (2019), 193–199
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5966 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i3/p171
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 132 | PDF полного текста: | 32 | Список литературы: | 24 | Первая страница: | 1 |
|