Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, том 110, выпуск 3, страницы 171–177
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19150074
(Mi jetpl5966)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Метод быстрой оценки энергии деформации решетки в органических полупроводниках

А. Ю. Сосоревabc

a МГУ им. М. В. Ломоносова, Международный лазерный центр, 119991 Москва, Россия
b МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, 119991 Москва, Россия
c Институт спектроскопии РАН, 108840 Троицк, Россия
Список литературы:
Аннотация: Эффективная работа многих устройств органической электроники требует высокой подвижности зарядов в их рабочих слоях. Согласно современным представлениям, фактором, лимитирующим подвижность зарядов в лучших органических полупроводниках, является динамический беспорядок – флуктуация интегралов переноса заряда между молекулами, обусловленная нелокальным электрон-фононным взаимодействием и тепловым движением молекул. Однако, оценка нелокального электрон-фононного взаимодействия на настоящий момент предполагает использование весьма время- и ресурсозатратных методов, что препятствует эффективному поиску органических полупроводников с высокой подвижностью зарядов среди множества претендентов. В данной работе предложен метод, позволяющий быстро оценивать основную характеристику нелокального электрон-фононного взаимодействия – энергию деформации решетки – путем сопоставления энергии реорганизации молекул и молекулярных димеров. Полученные значения энергии деформации решетки хорошо согласуются со значениями, полученными ранее другими методами. Более того, предложенный метод позволил впервые исследовать влияние межмолекулярной делокализации на нелокальное электрон-фононное взаимодействие. Таким образом, результаты работы свидетельствуют о перспективности предложенного подхода для эффективного поиска органических полупроводников со слабым нелокальным электрон-фононным взаимодействием и высокой подвижностью зарядов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-72-10165
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60204_мол_а_дк
18-52-45024_Инд_а
Разработка метода осуществлена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты # 16-32-60204 мол_а_дк, 18-52-45024). Квантово-химические расчеты, а также формулировка методики оценки влияния делокализации на нелокальное электрон-фононное взаимодействие выполнены при поддержке Российского научного фонда (грант # 18-72-10165).
Поступила в редакцию: 11.06.2019
Исправленный вариант: 20.06.2019
Принята в печать: 20.06.2019
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, Volume 110, Issue 3, Pages 193–199
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364019150141
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ю. Сосорев, “Метод быстрой оценки энергии деформации решетки в органических полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019), 171–177; JETP Letters, 110:3 (2019), 193–199
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sos19}
\by А.~Ю.~Сосорев
\paper Метод быстрой оценки энергии деформации решетки в органических полупроводниках
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 110
\issue 3
\pages 171--177
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5966}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19150074}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39175300}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 110
\issue 3
\pages 193--199
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364019150141}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000490949200007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85073596131}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5966
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i3/p171
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:132
    PDF полного текста:32
    Список литературы:24
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024