Новый вид пиннинга волны зарядовой плотности в кристаллах ромбического TaS$_3$ с дефектами закалки

В ромбическом TaS$_3$ изучен характер пиннинга волны зарядовой плотности (ВЗП) дефектами закалки, что стало возможным благодаря обнаруженному эффекту изменения концентрации этих дефектов при термоциклировании образцов в области температур ниже температуры пайерлсовского перехода $T<T_P$. Обнаружен ряд принципиальных отличий от пиннинга обычными локальными центрами – примесями и точечными дефектами. Это позволило предположить, что дефекты закалки являются протяженными (нелокальными) объектами (предположительно, дислокациями), способными диффундировать из кристалла при низкотемпературном термоциклировании вследствие их сильного взаимодействия с волной зарядовой плотности, присущего пайерлсовскому проводнику. Наличие этих дефектов приводит к неизвестному ранее нелокальному виду пиннинга волны зарядовой плотности с отличающимся от локального пиннинга влиянием на $T_P$ и пороговое поле начала скольжения волны зарядовой плотности $E_T$.