Пространственно-локализованный фотоэффект в амбиполярных органических полевых фототранзисторах

С помощью численного моделирования показано, что в амбиполярных фототранзисторах на основе органических полупроводников при определенных значениях параметров материалов и структуры преобразование падающего излучения в фототок происходит не одинаково по всей длине канала, а имеется узкая область, где такое преобразование идет эффективно, причем пространственное положение этой фоточувствительной области вдоль координаты $x$, направленной от стока к истоку, контролируется напряжением на затворе $V_G$. Возникновение такой области объясняется тем, что в ней повышена напряженность электрического поля, которая сильно влияет на эффективность разделения фотогенерируемых зарядов в органических полупроводниках. Определены зависимости пространственного положения фоточувствительной области от $V_G$. Рассчитаны зависимости отношения фототока к темновому току от $V_G$ для различных профилей пространственного распределения интенсивности падающего излучения (ступенчатого, прямоугольного и гауссова). Показано, что при преобразовании шкалы $V_G$ в шкалу $x$ данные зависимости воспроизводят с высокой степенью точности профили падающего излучения.