Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне

В работе исследованы спектры терагерцовой фотолюминесценции при межзонном оптическом возбуждении гетероструктур HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в интервале температур 30–100 К и при мощности возбуждения от 3 до 300 мВт. В спектре фотолюминесценции наблюдается полоса, соответствующая энергиям квантов меньше ширины запрещенной зоны. Положение наблюдаемой полосы не меняется с ростом температуры, что позволило связать ее с захватом дырок на акцепторные центры. Показано, что эти акцепторные центры являются однократно ионизованными вакансиями ртути, являющимися двойными акцепторами. Обнаружена немонотонность зависимости интенсивности сигнала длинноволновой полосы фотолюминесценции от мощности возбуждающего источника, при этом с ростом мощности сигнала возбуждающего излучения появляется коротковолновая полоса фотолюминесценции, соответствующая межзонным переходам. В работе показывается, что данный эффект связан с насыщением числа частично ионизованных вакансий ртути при увеличении интенсивности накачки.