Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, том 109, выпуск 9, страницы 629–633
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19090121
(Mi jetpl5895)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Перестройка сверхгладкой поверхности кристаллов La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ при термическом воздействии

А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, Ю. В. Григорьев, В. М. Каневский

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Федеральный научно-исследовательский центр “Кристаллография и фотоника” РАН, 119333 Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: Методами электронной и атомно-силовой микроскопии исследованы морфология и фазовый состав поверхности кристаллов La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ (лангасита) при отжиге в интервале температур 1000–1200 $^\circ$С на воздухе. Показано, что отжиг на воздухе кристаллов лангасита при температурах 1100 $^\circ$С и выше приводит к формированию на его поверхности кристалликов тригонального оксида лантана La$_2$O$_3$ размерами до 3–4 мкм, а также микроструктуры размерами до 50 мкм с избыточным содержанием галлия, примерного состава La$_2$O$_3$ – 15 мол. %, Ga$_2$O$_3$ – 65 мол. % и SiO$_2$ – 20 мол. %. Вероятными причинами термодеструкции соединения может быть значительная перестройка разупорядоченной кристаллической структуры лангасита в результате взаимодействия с кислородом воздуха и в условиях интенсивной поверхностной диффузии атомов кристалла, а также инконгруэнтный характер плавления самого соединения La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$. Обнаруженное явление термодеструкции поверхности кристаллов лангасита должно учитываться при создании из этого материала пьезоэлементов, предназначенных для работы при высоких температурах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках выполнения работ по Государственному заданию Федерального научно-исследовательского центра “Кристаллография и фотоника” РАН и с использованием оборудования Центра коллективного пользования Федерального научно-исследовательского центра “Кристаллография и фотоника” РАН.
Поступила в редакцию: 01.04.2019
Исправленный вариант: 01.04.2019
Принята в печать: 03.04.2019
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, Volume 109, Issue 9, Pages 610–614
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364019090108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, Ю. В. Григорьев, В. М. Каневский, “Перестройка сверхгладкой поверхности кристаллов La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ при термическом воздействии”, Письма в ЖЭТФ, 109:9 (2019), 629–633; JETP Letters, 109:9 (2019), 610–614
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MusButGri19}
\by А.~Э.~Муслимов, А.~В.~Буташин, Ю.~В.~Григорьев, В.~М.~Каневский
\paper Перестройка сверхгладкой поверхности кристаллов La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ при термическом воздействии
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 109
\issue 9
\pages 629--633
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5895}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19090121}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37614548}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 109
\issue 9
\pages 610--614
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364019090108}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000475817400011}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85069203953}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5895
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v109/i9/p629
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:156
    PDF полного текста:17
    Список литературы:33
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024