Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, том 109, выпуск 8, страницы 516–520
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19080046
(Mi jetpl5875)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Особенности Вигнеровских времен задержки медленных электронов потенциальной ямой с появляющимися в ней дискретными уровнями

М. Я. Амусьяab, А. С. Балтенковc

a Институт Физики им. Рака, Еврейский Университет, 91904 Иерусалим, Израиль
b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
c Институт Ионно-плазменных и лазерных технологий им. У. А. Арифова, 100125 Ташкент, Узбекистан
Список литературы:
Аннотация: Мы исследовали здесь специфические особенности в поведении Вигнеровских времен задержки медленных $s$-электронов, рассеивающихся сферически-симметричными прямоугольными потенциальными ямами. Мы рассмотрели потенциальные ямы, небольшое изменение параметров которых ведет к появлению в них связанных состояний. Было показано, что время задержки частицы мелкой потенциальной ямой, не имеющей связанных состояний, всегда положительно при малых энергиях электрона и меняет знак после появления уровня. Было установлено, что в момент появления первого и следующих $s$-уровней в яме время задержки ею медленных электронов испытывает скачки от положительных значений к отрицательным. Амплитуды этих скачков тем больше, чем меньше импульс электрона $k$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Академия наук Республики Узбекистан OT-Ф2-46
А. С. Балтенков благодарен за поддержку Грант фонда Узбекистана OT-Ф2-46.
Поступила в редакцию: 18.03.2019
Исправленный вариант: 18.03.2019
Принята в печать: 18.03.2019
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, Volume 109, Issue 8, Pages 507–511
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364019080022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Я. Амусья, А. С. Балтенков, “Особенности Вигнеровских времен задержки медленных электронов потенциальной ямой с появляющимися в ней дискретными уровнями”, Письма в ЖЭТФ, 109:8 (2019), 516–520; JETP Letters, 109:8 (2019), 507–511
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AmuBal19}
\by М.~Я.~Амусья, А.~С.~Балтенков
\paper Особенности Вигнеровских времен задержки медленных электронов потенциальной ямой с появляющимися в ней дискретными уровнями
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 109
\issue 8
\pages 516--520
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5875}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19080046}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37289334}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 109
\issue 8
\pages 507--511
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364019080022}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000474413200004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85064604795}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5875
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v109/i8/p516
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:145
    PDF полного текста:24
    Список литературы:27
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024