Биения квантовых осцилляций сопротивления в двухподзонных электронных системах в наклонных магнитных полях

Исследован электронный транспорт в одиночных GaAs квантовых ямах шириной от 22 до 46 нм с двумя заполненными подзонами размерного квантования $E^S$ и $E^{AS}$ при температуре $T = 4.2$ К в наклонных магнитных полях $B < 2$ Тл. Угол $\alpha$ между вектором внешнего магнитного поля и нормалью к планарной поверхности изучаемых структур варьировался от 0 до 90$^\circ$. В перпендикулярном магнитном поле ($\alpha = 0$) во всех исследуемых ямах наблюдались магнето-межподзонные осцилляции сопротивления, период которых определялся соотношением: $\Delta_{SAS} = E^{AS} - E^S = j\hbar\omega_c$, где $\omega_c$ – циклотронная частота, а $j$ – целое положительное число. Показано, что в наклонных $B$ максимумы магнето-межподзонных осцилляций смещаются в более сильные поля $B\cos(\alpha)$. Смещение магнето-межподзонных максимумов объясняется увеличением энергетической щели $\Delta_{SAS}$ с ростом компоненты $B\sin(\alpha)$. В ямах 46 и 36 нм при углах $\alpha > 72^\circ$ и $\alpha > 85^\circ$, соответственно, обнаружены биения магнето-межподзонных осцилляций. Обсуждаются причины такого неожиданного поведения магнето-межподзонных осцилляций в наклонных магнитных полях.