Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, том 109, выпуск 6, страницы 375–380
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19060067
(Mi jetpl5851)
 

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Экситонное поглощение с участием фононов в коллоидных нанопластинах CdSe/CdS

А. М. Смирновab, А. Д. Голинскаяcb, Б. М. Саиджоновd, Р. Б. Васильевd, В. Н. Манцевичcb, В. С. Днепровскийb

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и криоэлектроники, 119991 Москва, Россия
c МГУ им. М. В. Ломоносова, Физический факультет, Центр квантовых технологий, 119991 Москва, Россия
d МГУ им. М. В. Ломоносова, Факультет наук о материалах, 119991 Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: Исследованы особенности нерезонансного поглощения нанопластин CdSe c оболочкой CdS в случае возбуждения в край области экситонного поглощения мощными наносекундными лазерными импульсами. Показано, что экситон-фононное взаимодействие играет ключевую роль в процессах нерезонансного поглощения фотонов в коллоидных нанопластинах. Обнаруженные особенности нелинейного изменения поглощения объяснены эффектом частичного заполнения фазового пространства экситонов за счет участия продольных оптических (LO)-фононов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-72-10002
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского Научного Фонда (РНФ) грант # 18-72-10002.
Поступила в редакцию: 16.01.2019
Исправленный вариант: 16.01.2019
Принята в печать: 17.01.2019
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, Volume 109, Issue 6, Pages 372–376
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364019060122
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Смирнов, А. Д. Голинская, Б. М. Саиджонов, Р. Б. Васильев, В. Н. Манцевич, В. С. Днепровский, “Экситонное поглощение с участием фононов в коллоидных нанопластинах CdSe/CdS”, Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019), 375–380; JETP Letters, 109:6 (2019), 372–376
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmiGolSai19}
\by А.~М.~Смирнов, А.~Д.~Голинская, Б.~М.~Саиджонов, Р.~Б.~Васильев, В.~Н.~Манцевич, В.~С.~Днепровский
\paper Экситонное поглощение с участием фононов в коллоидных нанопластинах CdSe/CdS
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 109
\issue 6
\pages 375--380
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5851}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19060067}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37090938}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 109
\issue 6
\pages 372--376
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364019060122}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000469225400006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85065449437}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5851
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v109/i6/p375
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:118
    PDF полного текста:41
    Список литературы:22
    Первая страница:4
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024