Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем

Структуры с Ge/Si квантовыми точками, легированными Mn, были исследованы методом электронного парамагнитного резонанса для нахождения оптимальных условий для формирования магнитной фазы внутри квантовых точек. Были исследованы две серии образцов: 1) серия A с квантовыми точками, выращенными при $450^\circ$C и варьируемой концентрации Mn, 2) серия B с квантовыми точками, выращенными при различных температурах и одной и той же концентрации Mn $x = 0.02$. Обнаружено, что присутствие Mn приводит к существенным изменениям спектров ЭПР от электронов, локализованных на квантовых точках. Эти изменения связаны с (i) уменьшением деформации из-за Ge-Si перемешивания, (ii) увеличением характерного размера квантовых точек и изменением их формы, (iii) появлением дополнительного магнитного поля, связанного с атомами Mn в квантовых точках. Полученные данные позволяют разобраться в причинах невоспроизводимости имеющихся в литературе результатов по созданию магнитных Ge$_{1-x}$Mn$_x$ квантовых точек.