|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Особенности пиннинга волны зарядовой плотности в квазидвумерных соединениях
А. В. Фроловa, А. П. Орловab, А. А. Синченкоca, П. Монсоd a Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия
c Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
d Universté Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut NEEL, 38042 Grenoble, France
Аннотация:
Исследованы эффекты коллективного движения (скольжения) волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe$_3$ в широком интервале температур. Непосредственно после охлаждения до температур ниже температуры пайерлсовского перехода, $T_{CDW}=336$ K, пороговое поле инициации скольжения волны зарядовой плотности, $E_t$, демонстрирует зависимость от температуры, близкую к линейной. Экспозиция образцов при фиксированной температуре $T_0<T_{CDW}$ в течение нескольких часов приводила к существенной модификации эффекта скольжения волны зарядовой плотности. Пороговое поле значительно возрастало, а зависимость $E_t(T)$ становилась немонотонной, демонстрируя сильный максимум при $T=T_0$. Наблюдаемый эффект связывается с формированием при экспозиции упорядоченной структуры (решетки) дефектов волны зарядовой плотности и с изменением режима пиннинга при ее плавлении.
Поступила в редакцию: 23.11.2018 Исправленный вариант: 29.11.2018 Принята в печать: 30.11.2018
Образец цитирования:
А. В. Фролов, А. П. Орлов, А. А. Синченко, П. Монсо, “Особенности пиннинга волны зарядовой плотности в квазидвумерных соединениях”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 196–199; JETP Letters, 109:3 (2019), 203–206
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5819 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v109/i3/p196
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 121 | PDF полного текста: | 12 | Список литературы: | 20 | Первая страница: | 2 |
|