Особенности пиннинга волны зарядовой плотности в квазидвумерных соединениях

Исследованы эффекты коллективного движения (скольжения) волны зарядовой плотности в квазидвумерном проводнике TbTe$_3$ в широком интервале температур. Непосредственно после охлаждения до температур ниже температуры пайерлсовского перехода, $T_{CDW}=336$ K, пороговое поле инициации скольжения волны зарядовой плотности, $E_t$, демонстрирует зависимость от температуры, близкую к линейной. Экспозиция образцов при фиксированной температуре $T_0<T_{CDW}$ в течение нескольких часов приводила к существенной модификации эффекта скольжения волны зарядовой плотности. Пороговое поле значительно возрастало, а зависимость $E_t(T)$ становилась немонотонной, демонстрируя сильный максимум при $T=T_0$. Наблюдаемый эффект связывается с формированием при экспозиции упорядоченной структуры (решетки) дефектов волны зарядовой плотности и с изменением режима пиннинга при ее плавлении.