Эффекты монополярного резистивного переключения в тонких слоях алмазоподобного углерода

Исследованы вольтамперные характеристики структур Pt/DLC/Pt на базе тонких ($20$ нм) слоев алмазоподобного углерода, в которых соотношение между фазами углерода с sp$^2$ и sp$^3$-гибридизацией контролировали условиями роста слоев методом высокочастотного диодного распыления. Обнаружены эффекты резистивного переключения из исходно высокоомного в низкоомное состояние при приложении к структуре напряжения $V\sim3\,$В и обратное переключение при $V\sim0$ В. Эти эффекты имеют симметричный характер относительно изменения полярности $V$ и объясняются сменой типа гибридизации локальных углеродных областей, обусловливающим переключение из высокоомного в низкоомное состояние в сильных (${\sim}\,10^6\,$В/см) полях за счет переходов sp$^3\to\text{sp}^2$ и обратное переключение в отсутствие поля. Отношение сопротивлений в высокоомном в низкоомном состоянии достигает ${\sim}\,50$.