Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 108, выпуск 9, страницы 670–673
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18210130 (Mi jetpl5746) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

РАЗНОЕ

Полупроводниковая наночастица в электрическом поле

М. А. Кожушнерa, Б. В. Лидскийa, В. С. Посвянскийa, Л. И. Трахтенбергab

a Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, 119991 Москва, Россия
b АО “Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова”, 105064 Москва, Россия
PDF полного текста (183 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18210130
Аннотация: Проведено рассмотрение распределения электронов и положительных зарядов в сферической полупроводниковой наночастице с поверхностными ловушками электронов в однородном электрическом поле. В результате минимизации полной свободной энергии найдено результирующее электрическое поле в зависимости от плотности доноров, поверхностных ловушек и расстояния от центра наночастицы. Показано, что при относительно невысокой плотности доноров приповерхностные поля в областях входа и выхода поля из наночастицы заметно отличаются. Рассчитан наведенный дипольный момент наночастицы, определены величины вкладов в него от различных составляющих. Указаны области применения полученных результатов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций АААА-А18-118012390045-2
Российский фонд фундаментальных исследований 18-57-00003_Бел_а
18-29-02012_мк
Работа поддержана в рамках государственного задания 0082-2018-0003 (регистрационный номер АААА-А18-118012390045-2) и грантов Российского фонда фундаментальных исследований (18-57-00003-Бел_а и 18-29-02012-мк).
Поступила в редакцию: 08.08.2018
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 108, Issue 9, Pages 637–640
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018210075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Кожушнер, Б. В. Лидский, В. С. Посвянский, Л. И. Трахтенберг, “Полупроводниковая наночастица в электрическом поле”, Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018), 670–673; JETP Letters, 108:9 (2018), 637–640
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozLidPos18}
\by М.~А.~Кожушнер, Б.~В.~Лидский, В.~С.~Посвянский, Л.~И.~Трахтенберг
\paper Полупроводниковая наночастица в электрическом поле
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 108
\issue 9
\pages 670--673
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5746}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X18210130}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36517556}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 108
\issue 9
\pages 637--640
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018210075}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000454885700013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85059513318}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5746
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v108/i9/p670
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:228
    PDF полного текста:60
    Список литературы:40
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024