|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 90, выпуск 8, страницы 630–633
(Mi jetpl570)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Температурная зависимость магнетофононных осцилляций сопротивления в GaAs/AlAs гетероструктурах при больших факторах заполнения
А. А. Быков, А. В. Горан Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отд. РАН
Аннотация:
Изучена температурная зависимость магнетополевых осцилляций сопротивления, индуцированных акустическими фононами в 2D системе со средней подвижностью и высокой электронной плотностью в диапазоне $T=7.4\text{--}25.4\text{\,K}$. Установлено, что в изучаемой системе амплитуда магнетофононных осцилляций сопротивления определяется квантовым временем жизни, модифицированным электрон-электронным рассеянием, в согласии с результатами, полученными недавно в GaAs/AlGaAs гетероструктуре с ультравысокой подвижностью и малой электронной плотностью [A. T. Hatke et al., Phys. Rev. Lett. 102, 086808 (2009)]. Обнаружен сдвиг основного максимума магнетофононных осцилляций сопротивления с ростом температуры в более сильные магнитные поля.
Поступила в редакцию: 15.09.2009
Образец цитирования:
А. А. Быков, А. В. Горан, “Температурная зависимость магнетофононных осцилляций сопротивления в GaAs/AlAs гетероструктурах при больших факторах заполнения”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009), 630–633; JETP Letters, 90:8 (2009), 578–581
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl570 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v90/i8/p630
|
|