Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 108, выпуск 3, страницы 211–216
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18150122 (Mi jetpl5672) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

ЭПР-спектроскопия примесных ионов тулия в монокристаллах ортосиликата иттрия

А. А. Сухановa, В. Ф. Тарасовa, Ю. Д. Заварцевab, А. И. Загуменныйab, С. А. Кутовойba

a Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, Федерального исследовательского центра “Казанский научный центр РАН”, 420029 Казань, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (350 kB) Список цитирования (7)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18150122
Аннотация: Для примесных ионов Tm$^{3+}$ в монокристаллах ортосиликата иттрия (Y$_2$SiO$_5$) стационарными методами спектроскопии электронного парамагнитного резонанса в диапазоне частот 50–100 ГГц при 4.2 К измерены частотно-полевые и ориентационные зависимости спектров ЭПР. Определены позиция примесного иона в кристаллической решетке и его магнитные характеристики. Импульсными методами электронного парамагнитного резонанса в диапазоне температур 5–15 К измерены температурные зависимости времен спин-решеточной и фазовой релаксации и установлена высокая эффективность прямого однофононного механизма спин-решеточной релаксации. Это сильно укорачивает время спин-решеточной релаксации при низких температурах и делает примесные ионы Tm$^{3+}$ в Y$_2$SiO$_5$ перспективной основой для реализации быстродействующей квантовой памяти на основе редкоземельных ионов в диэлектрических кристаллах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-00041
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект # 16-12-00041).
Поступила в редакцию: 21.06.2018
Исправленный вариант: 29.06.2018
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 108, Issue 3, Pages 210–214
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018150122
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Суханов, В. Ф. Тарасов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, С. А. Кутовой, “ЭПР-спектроскопия примесных ионов тулия в монокристаллах ортосиликата иттрия”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 211–216; JETP Letters, 108:3 (2018), 210–214
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SukTarZav18}
\by А.~А.~Суханов, В.~Ф.~Тарасов, Ю.~Д.~Заварцев, А.~И.~Загуменный, С.~А.~Кутовой
\paper ЭПР-спектроскопия примесных ионов тулия в монокристаллах ортосиликата иттрия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 108
\issue 3
\pages 211--216
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5672}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X18150122}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35606117}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 108
\issue 3
\pages 210--214
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018150122}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000447382200012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85055263271}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5672
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v108/i3/p211
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:162
    PDF полного текста:29
    Список литературы:22
    Первая страница:3
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024