Отрицательное дифференциальное сопротивление и другие особенности спин-зависимого электронного транспорта в двух-барьерных гибридных структурах сверхпроводник-ферромагнитный металл-нормальный металл

Спин-зависимый электронный транспорт исследован теоретически для двух-барьерных гибридных структур S-IF-F-IF-N, S-IF-N-IF-N, где S — сверхпроводник, F и N, соответственно, ферромагнитный и нормальный металл, IF — спин-активный барьер. Показано, что при сильном сверхпроводящем эффекте близости и достаточно тонких F слоях дифференциальное сопротивление таких структур может становиться отрицательным при некоторых напряжениях, а зависимость тока от напряжения может иметь N-образный вид. Характерной особенностью дифференциального сопротивления является его асимметричная зависимость от напряжения, которая наиболее ярко проявляется при сильной поляризации, по крайней мере, одного из барьеров. Исследовано теоретически влияние процессов спин-орбитального рассеяния на примесях в N-слое, расположенном между барьерами. Исследование проведено для случая диффузионного электронного транспорта.