|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Атомная и электронная структура собственных дефектов в Ta$_2$O$_5$: ab initio моделирование
Т. В. Переваловab, Д. Р. Исламовab, И. Г. Черныхc a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Институт вычислительной математики и математической геофизики Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Изучается атомная и электронная структура собственных точечных дефектов в орторомбическом оксиде тантала методами численного моделирования в рамках теории функционала плотности. Показано, что все дефекты, приводящие к обогащению Ta$_2$O$_5$ металлом, выступают в качестве электронных и дырочных ловушек. В условиях сильного обеднения кислородом и на контакте металл–диэлектрик, характерных для элементов резистивной памяти, междоузельные атомы тантала играют конкурентную с вакансией кислорода роль в формировании проводящего филамента. Междоузельные атомы кислорода не участвуют в транспорте заряда. Тантал, замещающий кислород, можно рассматривать как комбинацию кислородной вакансии и междоузельного тантала. Анализ рассчитанных значений термической и оптической энергии ионизации ловушек показывает, что именно вакансия кислорода является ключевым дефектом для переноса заряда в Ta$_2$O$_5$.
Поступила в редакцию: 03.05.2018
Образец цитирования:
Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, И. Г. Черных, “Атомная и электронная структура собственных дефектов в Ta$_2$O$_5$: ab initio моделирование”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 788–793; JETP Letters, 107:12 (2018), 761–765
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5651 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i12/p788
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 121 | PDF полного текста: | 17 | Список литературы: | 17 | Первая страница: | 1 |
|