Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле

С помощью in situ рентгенодифракционных измерений исследован процесс образования приповерхностных структур в кристалле парателлурита ($\alpha$-ТеО$_2$) при приложении к нему внешнего электрического поля. Данный процесс имеет обратимый характер и по динамике протекания (длительность процесса составляет десятки минут) соответствует образованию экранирующего слоя у границы раздела диэлектрик–металл за счет встречной миграции ионов кислорода и кислородных вакансий во внешнем электрическом поле. Образование доменов наблюдается в эксперименте в виде уширения и расщепления рентгеновской кривой дифракционного отражения и объясняется механическими напряжениями, возникающими в сильном электрическом поле вблизи поверхности в результате пьезоэффекта и вызывающими ферроэластический $\alpha$-$\beta$ фазовый переход. Одновременно зарегистрировано изменение параметра решетки у анода (поверхность кристалла с положительным внешним зарядом), вызванное локальной перестройкой кристаллической структуры за счет скопления в этой области ионов кислорода и оттока кислородных вакансий.