|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Структурно-зависимое магнетосопротивление в гибридном нанокомпозите Zn$_{0.1}$Cd$_{0.9}$GeAs$_2$ + MnAs
Р. К. Арслановa, Т. Р. Арслановa, И. В. Федорченкоb, Л. Киланскийc, Т. Чаттерджиd a Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, 367003 Махачкала, Россия
b Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия
c Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, PL-02668 Warsaw, Poland
d Institute Laue-Langevin, 38042 Grenoble Cedex 9, France
Аннотация:
В гибридном нанокомпозите на основе матрицы Zn$_{0.1}$Cd$_{0.9}$GeAs$_2$ и MnAs кластеров исследовано влияние высокого давления на электронный транспорт и полевую зависимость поперечного магнетосопротивления. Вблизи индуцированного давлением структурного превращения ($P\approx3.5\,$ГПа) формируется рекордно большая величина отрицательного магнетосопротивления $\sim74\,\%$. Рассматриваемые механизмы рассеяния учитывают, как вклад, происходящий от MnAs кластеров при сравнительно низких давлениях (до $0.7$ ГПа), так и спин-зависимое рассеяние на локализованных магнитных моментах, в замещенной Mn структуре матрицы в области структурного перехода. Наличие положительного участка магнетосопротивления, связанного с двухзонной моделью транспорта в фазе высокого давления, а также большое отрицательное магнетосопротивление описываются в рамках полуэмпирического выражения Хосла–Фишера.
Поступила в редакцию: 16.03.2018 Исправленный вариант: 26.03.2018
Образец цитирования:
Р. К. Арсланов, Т. Р. Арсланов, И. В. Федорченко, Л. Киланский, Т. Чаттерджи, “Структурно-зависимое магнетосопротивление в гибридном нанокомпозите Zn$_{0.1}$Cd$_{0.9}$GeAs$_2$ + MnAs”, Письма в ЖЭТФ, 107:10 (2018), 643–649; JETP Letters, 107:10 (2018), 612–617
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5575 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i10/p643
|
|