Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации

В данной статье впервые проведено исследование влияния внешней анизотропной деформации на спектры ИК- и видимой люминесценции гетероструктур с квантовыми ямами SiGe/Si при гелиевых температурах. Показано, что при температуре $T = 5$ К растяжение слоя SiGe вдоль направления $[100]$ приводит к усилению относительной интенсивности излучения в видимой области спектра в $7/3 \simeq 2.3$ раза. Этот эффект отсутствует при растяжении вдоль направления $[110]$. Дано объяснение данного явления на основе представлений о “светлых” и “темных” состояниях биэкситонов при многочастичной рекомбинации. При температуре $2$ К относительная интенсивность видимой люминесценции при растяжении увеличивается в $3.4$–$3.9$ раза, что может указывать либо на расщепление основного состояния биэкситонов с различной электронной конфигурацией, либо на отклонение их функции распределения от закона Больцмана.