Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 107, выпуск 5, страницы 320–324
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18050077 (Mi jetpl5515) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Увеличение критической температуры сверхпроводящего перехода гибридной структуры при намагничивании спиральных антиферромагнетиков

Н. Г. Пугачab, М. О. Сафончикc

a Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, Московский Государственный Университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Национальный исследовательский университет (Высшая школа экономики), 101000 Москва, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (220 kB) Список цитирования (6)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18050077
Аннотация: Теоретически описан спин-вентильный эффект в сверхпроводниковых гибридных структурах на основе магнитных материалов с неколлинеарным магнитным упорядочением. Показано, что в таких структурах возможен следующий эффект: при намагничивании образца критическая температура сверхпроводящего перехода увеличивается. Причиной является подавление дальнодействующих триплетных сверхпроводящих корреляций. Такие структуры могут использоваться в качестве элементов памяти нового типа для сверхпроводниковой спинтроники.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI61717X0001
Работа была поддержана совместными Российско-Греческими проектами T4∆PΩ-00031 и RFMEFI61717X0001 “Экспериментальное и теоретическое исследование физических свойств низкоразмерных квантовых наноэлектронных систем”.
Поступила в редакцию: 07.11.2017
Исправленный вариант: 08.12.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 107, Issue 5, Pages 302–306
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018050119
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Г. Пугач, М. О. Сафончик, “Увеличение критической температуры сверхпроводящего перехода гибридной структуры при намагничивании спиральных антиферромагнетиков”, Письма в ЖЭТФ, 107:5 (2018), 320–324; JETP Letters, 107:5 (2018), 302–306
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PugSaf18}
\by Н.~Г.~Пугач, М.~О.~Сафончик
\paper Увеличение критической температуры сверхпроводящего перехода гибридной структуры при намагничивании спиральных антиферромагнетиков
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 5
\pages 320--324
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5515}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18050077}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32652434}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 107
\issue 5
\pages 302--306
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018050119}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000433041800007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85047425850}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5515
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i5/p320
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024