Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 107, выпуск 4, страницы 276–279
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18040124
(Mi jetpl5508)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

РАЗНОЕ

Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe

И. С. Волчков, В. М. Каневский, М. Д. Павлюк

Федеральный научно-исследовательский центр “Кристаллография и фотоника” РАН, 119333 Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: Обнаружено влияние постоянного и импульсного магнитных полей ($\sim$ 1 Тл) на электропроводность кристаллов CdTe. Эффект наблюдается с задержкой после магнитной экспозиции кристаллов в виде двух пиков их удельной проводимости с последующим релаксационным возвратом. Первый пик при обоих типах магнитной обработки наблюдается через $\sim$ 1 ч после экспозиции, а его амплитуда превышает фоновое значение на $\sim$ 23–36 % (большее значение для постоянного поля). Второй пик в обоих случаях тоже возникает при соизмеримых, но гораздо больших задержках $\sim$ 50–60 ч, а его амплитуды еще сильней различаются для двух типов экспозиции, превышая фон на $\sim$ 60 % для постоянного поля и только на $\sim$ 11 % для импульсного. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемого эффекта.
Поступила в редакцию: 27.12.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 107, Issue 4, Pages 269–272
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018040136
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. С. Волчков, В. М. Каневский, М. Д. Павлюк, “Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 276–279; JETP Letters, 107:4 (2018), 269–272
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolKanPav18}
\by И.~С.~Волчков, В.~М.~Каневский, М.~Д.~Павлюк
\paper Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 4
\pages 276--279
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5508}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18040124}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32619823}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 107
\issue 4
\pages 269--272
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018040136}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000430851700013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85053905733}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5508
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i4/p276
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:209
    PDF полного текста:47
    Список литературы:25
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024