|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
РАЗНОЕ
Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe
И. С. Волчков, В. М. Каневский, М. Д. Павлюк Федеральный научно-исследовательский центр “Кристаллография и фотоника” РАН, 119333 Москва, Россия
Аннотация:
Обнаружено влияние постоянного и импульсного магнитных полей ($\sim$ 1 Тл) на электропроводность кристаллов CdTe. Эффект наблюдается с задержкой после магнитной экспозиции кристаллов в виде двух пиков их удельной проводимости с последующим релаксационным возвратом. Первый пик при обоих типах магнитной обработки наблюдается через $\sim$ 1 ч после экспозиции, а его амплитуда превышает фоновое значение на $\sim$ 23–36 % (большее значение для постоянного поля). Второй пик в обоих случаях тоже возникает при соизмеримых, но гораздо больших задержках $\sim$ 50–60 ч, а его амплитуды еще сильней различаются для двух типов экспозиции, превышая фон на $\sim$ 60 % для постоянного поля и только на $\sim$ 11 % для импульсного. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемого эффекта.
Поступила в редакцию: 27.12.2017
Образец цитирования:
И. С. Волчков, В. М. Каневский, М. Д. Павлюк, “Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 276–279; JETP Letters, 107:4 (2018), 269–272
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5508 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i4/p276
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 209 | PDF полного текста: | 47 | Список литературы: | 25 | Первая страница: | 7 |
|