Изменение знака магнетосопротивления и двумерная проводимость слоистого квазиодномерного полупроводника TiS$_3$

Измерены зависимости сопротивления слоистого квазиодномерного полупроводника TiS$_3$ от направления и величины магнитного поля $B$. Анизотропия магнетосопротивления и его угловые зависимости свидетельствуют о двумерном характере проводимости при $T<100\,$К. Ниже $T_0\approx50\,$К резко возрастает магнетосопротивление при направлениях поля в плоскости слоев $(ab)$, а поперечное магнетосопротивление ($B\|c$) становится отрицательным. Результаты подтверждают возможность электронного фазового перехода в коллективное состояние при $T_0$. При этом отрицательное магнетосопротивление ($B\|c$) ниже $T_0$ объясняется подавлением магнитным полем 2D слабой локализации, а положительное ($B\|ab$) – влиянием магнитного поля на спектр электронных состояний.