|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя
С. И. Дорожкинa, В. Уманскийb, К. фон Клитцингc, Ю. Х. Сметc a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel
c Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany
Аннотация:
На образцах, изготовленных из одной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой, выполнены измерения температурных зависимостей частоты переключений спонтанного электрического поля, возникающего под микроволновым излучением и образующего доменную структуру, и проводимости слоя легирования, поставляющего электроны в систему. Обнаружено, что обе величины описываются термоактивационной зависимостью (закон Аррениуса) с близкими значениями энергии активации. Полученный результат указывает на связь между этими величинами и подтверждает гипотезу о том, что наблюдаемая динамика доменной структуры является следствием динамического экранирования спонтанного электрического поля доменов зарядами слоя легирования.
Поступила в редакцию: 24.11.2017
Образец цитирования:
С. И. Дорожкин, В. Уманский, К. фон Клитцинг, Ю. Х. Смет, “Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 68–72; JETP Letters, 107:1 (2018), 61–65
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5468 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i1/p68
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 205 | PDF полного текста: | 15 | Список литературы: | 29 | Первая страница: | 10 |
|