Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 107, выпуск 1, страницы 68–72
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18010125 (Mi jetpl5468) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя

С. И. Дорожкинa, В. Уманскийb, К. фон Клитцингc, Ю. Х. Сметc

a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel
c Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany
PDF полного текста (352 kB) Список цитирования (6)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18010125
Аннотация: На образцах, изготовленных из одной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой, выполнены измерения температурных зависимостей частоты переключений спонтанного электрического поля, возникающего под микроволновым излучением и образующего доменную структуру, и проводимости слоя легирования, поставляющего электроны в систему. Обнаружено, что обе величины описываются термоактивационной зависимостью (закон Аррениуса) с близкими значениями энергии активации. Полученный результат указывает на связь между этими величинами и подтверждает гипотезу о том, что наблюдаемая динамика доменной структуры является следствием динамического экранирования спонтанного электрического поля доменов зарядами слоя легирования.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00599
Работа была поддержана грантом Российского научного фонда (проект # 14-12-00599). В.У. и Ю.Х.С. благодарны GIF за поддержку.
Поступила в редакцию: 24.11.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 107, Issue 1, Pages 61–65
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018010046
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Дорожкин, В. Уманский, К. фон Клитцинг, Ю. Х. Смет, “Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 68–72; JETP Letters, 107:1 (2018), 61–65
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorUmaVon18}
\by С.~И.~Дорожкин, В.~Уманский, К.~фон Клитцинг, Ю.~Х.~Смет
\paper Динамика доменов спонтанного электрического поля в двумерной электронной системе под микроволновым излучением и проводимость донорного слоя
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 1
\pages 68--72
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5468}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18010125}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32619783}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 107
\issue 1
\pages 61--65
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018010046}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000427409000012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85043983769}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5468
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i1/p68
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:223
    PDF полного текста:23
    Список литературы:35
    Первая страница:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024