Скейлинг магнитосопротивления и анизотропия рассеяния носителей заряда в парамагнитной фазе каркасного стекла Ho$_{0.8}$Lu$_{0.2}$B$_{12}$

При низких температурах $2$–$10$ К исследовано поперечное магнитосопротивление додекаборида Ho$_{0.8}$Lu$_{0.2}$B$_{12}$ со структурой каркасного стекла. Показано, что в парамагнитной фазе в широкой окрестности $T_{\text{N}}\approx5.7\,$K в этом антиферромагнетике доминирующим вкладом является изотропное отрицательное магнитосопротивление, связанное с рассеянием носителей на наноразмерных кластерах ионов Но$^{3+}$, которое масштабируется в координатах $\rho=f(\mu_{\text{eff}}^2H^2/T^2)$. Обнаружено, что анизотропия магнитосопротивления выше $T_{\text{N}}$ (около $15\,\%$ в поле $80$ кЭ) обусловлена положительным вкладом, который достигает максимальных значений для направлений вблизи $\mathbf{H}\| [001]$. Предложено объяснение анизотропии рассеяния носителей заряда в терминах динамического кооперативного эффекта Яна–Теллера на кластерах В$_{12}$.