|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
РАЗНОЕ
Влияние топологии наноразмерного острийного графен/SiC эмиттера на образование колец в сильных электрических полях
А. М. Светличный, И. Л. Житяев Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, 347922 Таганрог, Россия
Аннотация:
Проведено моделирование распределения напряженности электрического поля, плотности тока и траекторий эмиттированных электронов с учетом топологии наноразмерного острийного графен/SiC эмиттера. Анализ полученных моделей показал усиление напряженности электрического поля и плотности тока на концентрических наноразмерных выступах по периферии эмиттера. Показано, что наноразмерные выступы являются источниками интенсивной эмиссии электронов, наложение траекторий которых приводит к появлению нескольких колец на эмиссионном изображении.
Поступила в редакцию: 10.08.2017 Исправленный вариант: 06.09.2017
Образец цитирования:
А. М. Светличный, И. Л. Житяев, “Влияние топологии наноразмерного острийного графен/SiC эмиттера на образование колец в сильных электрических полях”, Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017), 587–590; JETP Letters, 106:9 (2017), 613–616
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5416 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i9/p587
|
|