Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 106, выпуск 8, страницы 506–514
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17200097 (Mi jetpl5399) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu

Л. Н. Овешниковab, В. А. Прудкоглядb, Ю. Г. Селивановb, Е. Г. Чижевскийb, Б. А. Аронзонab

a Национальный исследовательский центр “Курчатовский Институт”, 123182 Москва, Россия
b Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (701 kB) Список цитирования (5)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17200097
Аннотация: В работе исследован магнетотранспорт в тонких пленках Bi$_2$Se$_3$ с магнитной примесью Eu в области слабых магнитных полей. При повышении уровня легирования наблюдается насыщение длины дефазировки при охлаждении, что может быть объяснено наличием магнитных включений. Наблюдаемая анизотропия магнетосопротивления качественно аналогична анизотропии, наблюдаемой в немагнитных пленках Bi$_2$Se$_3$. Множественные аналогии со свойствами пленок чистого Bi$_2$Se$_3$, с учетом некоторых отличий, могут быть объяснены в предположении локального взаимодействия топологически нетривиальных интерфейсных состояний с Eu-содержащими включениями.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01345
Работа выполнена при частичной поддержке гранта РНФ # 17-12-01345.
Поступила в редакцию: 21.09.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 106, Issue 8, Pages 526–533
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017200103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Овешников, В. А. Прудкогляд, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, Б. А. Аронзон, “Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu”, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017), 506–514; JETP Letters, 106:8 (2017), 526–533
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OvePruSel17}
\by Л.~Н.~Овешников, В.~А.~Прудкогляд, Ю.~Г.~Селиванов, Е.~Г.~Чижевский, Б.~А.~Аронзон
\paper Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 106
\issue 8
\pages 506--514
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5399}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17200097}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30124390}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 106
\issue 8
\pages 526--533
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017200103}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000418569400009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85039052995}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5399
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i8/p506
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:174
    PDF полного текста:31
    Список литературы:36
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024