|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Особенности электронного спектра и оптического поглощения ультратонких пленок Bi$_2$Se$_3$
В. В. Тугушевa, Э. Т. Кулатовbc, К. М. Голантa a Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
Аннотация:
Методом функционала плотности проведен расчет электронных спектров и диэлектрической проницаемости ультратонких (1–3 QL) пленок топологического изолятора Bi$_2$Se$_3$. Выявлена характерная особенность рассчитанных спектров: ниже уровня Ферми в диапазоне 0.0…–0.9 эВ расположены две двукратно вырожденные валентные зоны (“U-bands”), геометрически конгруэнтные низколежащим ветвям спектра в зоне проводимости. Показано, что в рассмотренных пленках насыщение оптического поглощения в ближней инфракрасной области спектра может приводить к серьезной перестройке электронной структуры и свойств. В частности, полупроводниковый (в отсутствие взаимодействия со светом) тип проводимости пленки может смениться на сильно нелинейный по интенсивности света металлический тип проводимости.
Поступила в редакцию: 28.08.2017 Исправленный вариант: 30.08.2017
Образец цитирования:
В. В. Тугушев, Э. Т. Кулатов, К. М. Голант, “Особенности электронного спектра и оптического поглощения ультратонких пленок Bi$_2$Se$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 106:7 (2017), 409–416; JETP Letters, 106:7 (2017), 422–428
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5380 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i7/p409
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 170 | PDF полного текста: | 21 | Список литературы: | 34 | Первая страница: | 13 |
|