Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 106, выпуск 3, страницы 156–160
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17150061 (Mi jetpl5336) 		 
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру

А. В. Галееваa, А. И. Артамкинa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, С. Н. Даниловc, Л. И. Рябоваd, Д. Р. Хохловea

a Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Институт физики полупроводников СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c University of Regensburg, D-93053 Regensburg, Germany
d Химический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
e Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (377 kB) Список цитирования (23)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17150061
Аннотация: Показано, что в структурах с активным элементом на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te переход от прямого к инверсному спектру сопровождается изменением знака сигналов терагерцовой фотопроводимости и магнетофотогальванического эффекта. В области составов, соответствующих инверсному спектру, кинетика фотопроводимости обнаруживает особенности, которые могут быть связаны с поверхностными топологическими состояниями.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10071
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ # 16-12-10071.
Поступила в редакцию: 06.06.2017
Исправленный вариант: 22.06.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 106, Issue 3, Pages 162–166
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017150061
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Галеева, А. И. Артамкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от прямого к инверсному спектру”, Письма в ЖЭТФ, 106:3 (2017), 156–160; JETP Letters, 106:3 (2017), 162–166
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GalArtMik17}
\by А.~В.~Галеева, А.~И.~Артамкин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, С.~Н.~Данилов, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Терагерцовая фотопроводимость в Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te вблизи перехода от~прямого к~инверсному спектру
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 106
\issue 3
\pages 156--160
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5336}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17150061}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29811434}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 106
\issue 3
\pages 162--166
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017150061}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000413066200006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85031944361}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5336
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i3/p156
    • Эта публикация цитируется в следующих 23 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:201
    PDF полного текста:30
    Список литературы:42
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024