Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 106, выпуск 2, страницы 84–89
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17140065 (Mi jetpl5320) 		 
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата

Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Е. А. Петржик, А. К. Лашкова, Т. Р. Волк

Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, 119333 Москва, Россия
PDF полного текста (1293 kB) Список цитирования (15)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17140065
Аннотация: Впервые наблюдалось воздействие магнитного поля на процессы релаксации дефектной структуры в сегнетоэлектрическом (немагнитном) кристалле триглицинсульфата (TGS). С помощью метода атомно-силовой микроскопии показано, что результатом воздействия постоянного слабого магнитного поля (2 Тл, 20 мин) является существенное изменение распределения по размерам дефектных нанокластеров, характерных для TGS. Известные из литературы и наблюдаемые в данной работе макроскопические эффекты последействия магнитного поля в TGS (медленная релаксация диэлектрической восприимчивости, симметризация петель диэлектрического $P$-$E$ гистерезиса, и т.д.) могут быть объяснены перераспределением центров пиннинга доменных стенок в результате магнитостимулированной реконфигурации дефектной структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 1
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа частично поддержана Президиумом РАН (Программа # 1) и выполнена с использованием оборудования ЦКП Института кристаллографии им. А.В.Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН при поддержке Минобрнауки России.
Поступила в редакцию: 09.06.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 106, Issue 2, Pages 97–102
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017140053
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Е. А. Петржик, А. К. Лашкова, Т. Р. Волк, “Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата”, Письма в ЖЭТФ, 106:2 (2017), 84–89; JETP Letters, 106:2 (2017), 97–102
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GaiIvaPet17}
\by Р.~В.~Гайнутдинов, Е.~С.~Иванова, Е.~А.~Петржик, А.~К.~Лашкова, Т.~Р.~Волк
\paper Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 106
\issue 2
\pages 84--89
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5320}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17140065}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29760146}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 106
\issue 2
\pages 97--102
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017140053}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000411584500006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85029871499}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5320
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i2/p84
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:1798
    PDF полного текста:43
    Список литературы:46
    Первая страница:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024