Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 106, выпуск 1, страница 51
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17130100
(Mi jetpl5312)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Band gap tuning of Ge/SiC bilayers under an electric field: a density functional study

M. Luoa, Y. E. Xub, Y. X. Songc

a Department of Physics, Shanghai Second Polytechnic University, 201209 Shanghai, China
b Department of Electronic Engineering, Shang Hai Jian Qiao University, 201306 Shanghai, China
c Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, 200241 Shanghai, China
Поступила в редакцию: 05.06.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 106, Issue 1, Pages 46–50
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017130021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. Luo, Y. E. Xu, Y. X. Song, “Band gap tuning of Ge/SiC bilayers under an electric field: a density functional study”, Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017), 51; JETP Letters, 106:1 (2017), 46–50
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LuoXuSon17}
\by M.~Luo, Y.~E.~Xu, Y.~X.~Song
\paper Band gap tuning of Ge/SiC bilayers under an electric field: a density functional study
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 106
\issue 1
\pages 51
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5312}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17130100}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29760138}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 106
\issue 1
\pages 46--50
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017130021}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000409129900010}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85021255795}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5312
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i1/p51
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:107
    PDF полного текста:29
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024