|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Band gap tuning of Ge/SiC bilayers under an electric field: a density functional study
M. Luoa, Y. E. Xub, Y. X. Songc a Department of Physics, Shanghai Second Polytechnic University, 201209 Shanghai, China
b Department of Electronic Engineering, Shang Hai Jian Qiao University, 201306 Shanghai, China
c Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, 200241 Shanghai, China
Поступила в редакцию: 05.06.2017
Образец цитирования:
M. Luo, Y. E. Xu, Y. X. Song, “Band gap tuning of Ge/SiC bilayers under an electric field: a density functional study”, Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017), 51; JETP Letters, 106:1 (2017), 46–50
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5312 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i1/p51
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 107 | PDF полного текста: | 29 | Список литературы: | 1 |
|