|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Анизотропное влияние зарождающейся сверхпроводимости на электронный транспорт в FeSe
П. Д. Григорьевabc, А. А. Синченкоde, К. К. Кешарпуc, А. Шакинc, Т. И. Могилюкf, А. П. Орловd, А. В. Фроловgd, Д. С. Любшинgb, Д. А. Чареевhi, О. С. Волковаjch, А. Н. Васильевcjk a Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
b Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, 142432 Черноголовка, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет (МИСиС), 119049 Москва, Россия
d Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
e Национальный исследовательский ядерный университет (МИФИ), 115409 Москва, Россия
f Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
g Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
h Уральский Федеральный Университет, 620002 Екатеринбург, Россия
i Институт экспериментальной минералогии РАН, 142432 Черноголовка, Россия
j Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
k Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва
Аннотация:
Предложена теоретическая модель для описания проводимости слоистого анизотропного нормального металла, содержащего малые сверхпроводящие включения при произвольном эксцентриситете сфероидных сверхпроводящих островков. Проведены измерения электронных транспортных и магнитных свойств монокристаллов FeSe, результаты которых указывают на существование сверхпроводимости при температурах, значительно превышающих критическую температуру сверхпроводящего перехода, соответствующую обращению в ноль электросопротивления. В рамках предложенной модели удалось получить количественное согласие объемной доли сверхпроводящих включений и ее температурной зависимости, определенной по результатам выполненных транспортных и магнитных измерений.
Поступила в редакцию: 21.04.2017 Исправленный вариант: 15.05.2017
Образец цитирования:
П. Д. Григорьев, А. А. Синченко, К. К. Кешарпу, А. Шакин, Т. И. Могилюк, А. П. Орлов, А. В. Фролов, Д. С. Любшин, Д. А. Чареев, О. С. Волкова, А. Н. Васильев, “Анизотропное влияние зарождающейся сверхпроводимости на электронный транспорт в FeSe”, Письма в ЖЭТФ, 105:12 (2017), 748–753; JETP Letters, 105:12 (2017), 786–791
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5298 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i12/p748
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 456 | PDF полного текста: | 38 | Список литературы: | 45 | Первая страница: | 10 |
|