|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Электронно-топологический переход в купратных ВТСП перед сверхпроводящим переходом
В. И. Соколенко, В. А. Фролов Национальный научный центр “Харьковский физико-технический институт”, 61108 Харьков, Украина
Аннотация:
Впервые показано, что перед переходом в сверхпроводящее состояние оптимально допированных высокотемпературных сверхпроводников на основе Y и Bi в их электронных подсистемах происходит электронно-топологический переход Лифшица. На это однозначно указывает масштабная дырочно-электронная конверсия в системе носителей заряда при $T=T_{\text{c}}+({\sim}\,10\,\text{К})$.
Поступила в редакцию: 28.03.2017 Исправленный вариант: 12.04.2017
Образец цитирования:
В. И. Соколенко, В. А. Фролов, “Электронно-топологический переход в купратных ВТСП перед сверхпроводящим переходом”, Письма в ЖЭТФ, 105:10 (2017), 621–623; JETP Letters, 105:10 (2017), 661–663
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5273 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i10/p621
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 144 | PDF полного текста: | 34 | Список литературы: | 29 | Первая страница: | 8 |
|