Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 105, выпуск 8, страницы 497–498
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17080070
(Mi jetpl5245)
 

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Interlayer current near the edge of an $\mathrm{InAs/GaSb}$ double quantum well in proximity with a superconductor

A. Kononova, S. V. Egorova, N. Titovab, B. R. Semyaginc, V. V. Preobrazhenskiic, M. A. Putyatoc, E. A. Emelyanovc, E. V. Deviatova

a Institute of Solid State Physics RAS, 142432 Chernogolovka, Russia
b Moscow State Pedagogical University, 119991 Moscow, Russia
c Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia
Список литературы:
Аннотация: We investigate charge transport through the junction between a niobium superconductor and the edge of a two-dimensional electron-hole bilayer, realized in an $\mathrm{InAs/GaSb}$ double quantum well. For the transparent interface with a superconductor, we demonstrate that the junction resistance is determined by the interlayer charge transfer near the interface. From an analysis of experimental $I$$V$ curves, we conclude that the proximity-induced superconductivity efficiently couples electron and hole layers at low currents. The critical current demonstrates periodic dependence on the in-plane magnetic field, while it is monotonic for the field that is normal to the bilayer plane.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00405_a
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.B25.31.0007
We gratefully acknowledge financial support by the RFBR (project # 16-02-00405), RAS and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation under Contract # 14.B25.31.0007.
Поступила в редакцию: 22.03.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 105, Issue 8, Pages 508–513
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017080057
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. Kononov, S. V. Egorov, N. Titova, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, E. V. Deviatov, “Interlayer current near the edge of an $\mathrm{InAs/GaSb}$ double quantum well in proximity with a superconductor”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 497–498; JETP Letters, 105:8 (2017), 508–513
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonEgoTit17}
\by A.~Kononov, S.~V.~Egorov, N.~Titova, B.~R.~Semyagin, V.~V.~Preobrazhenskii, M.~A.~Putyato, E.~A.~Emelyanov, E.~V.~Deviatov
\paper Interlayer current near the edge of an $\mathrm{InAs/GaSb}$ double quantum well in proximity with a superconductor
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 105
\issue 8
\pages 497--498
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5245}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17080070}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28968779}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 105
\issue 8
\pages 508--513
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017080057}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000404165100007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85018251874}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5245
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i8/p497
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024