Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 105, выпуск 8, страницы 477–478
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17080021
(Mi jetpl5240)
 

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions

N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur

A.F. Ioffe Institute, 194021 Saint Petersburg, Russia
Список литературы:
Аннотация: We studied conductivity of AlGaAs–GaAs quantum well structures (where centers of the wells were doped by Be) at temperatures higher than $4$ K in magnetic fields up $10$ T. Throughout all the temperature region considered the conductivity demonstrated activated behavior. At moderate magnetic fields $0.1 T < H < 1 T$, we observed negative isotropic magnetoresistance, which was linear in magnetic field while for magnetic field normal with respect to the plane of the wells the magnetoresistance was positive at $H > 2T$. To the best of our knowledge, it was the first observation of linear negative magnetoresistance, which would be isotropic with respect to the direction of magnetic field. While the isotropic character of magnetoresistance apparently evidences role of spins, the existing theoretical considerations concerning spin effects in conductance fail to explain our experimental results. We believe that such a behavior can be attributed to spin effects supported by exchange interactions between localized states.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00064_а
We also appreciate partial support by Russian Foundation for Basic research, Grant # 16-02-00064.
Поступила в редакцию: 16.02.2017
Исправленный вариант: 09.03.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 105, Issue 8, Pages 484–487
DOI: https://doi.org/10.1134/S002136401708001X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, “Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 477–478; JETP Letters, 105:8 (2017), 484–487
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgrKozMik17}
\by N.~V.~Agrinskaya, V.~I.~Kozub, N.~Yu.~Mikhailin, D.~V.~Shamshur
\paper Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 105
\issue 8
\pages 477--478
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5240}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17080021}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28968774}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 105
\issue 8
\pages 484--487
\crossref{https://doi.org/10.1134/S002136401708001X}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000404165100002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85018254990}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5240
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i8/p477
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024